Una producción más eficiente desde el punto de vista energético conduce, en primer lugar, al ahorro de batería (pero no solo) para los usuarios finales. Empresas del sector como TSMC aunque ya han comenzado a pensar en la producción cualquier problema de tipo. samung también comenzó la producción según reveló ayer la propia compañía a través de un anuncio oficial. El gigante coreano, por tanto, ha tirado el guante a la otra marca. ¿Quién llegará primero?
Samsung ha comenzado la producción de chips de varios tipos con proceso litográfico de 3 nm. ¿Qué significa y cuándo saldrán los primeros dispositivos?
Según Samsung, a pesar de una reducción del 16 % en el área de chips de próxima generación en comparación con las soluciones de 5 nm, el rendimiento de los chips de 3 nm aumentará en 23% y la eficiencia energética de los 45%. Al crear tales microcircuitos, se utilizará la arquitectura de transistores. Puerta todo alrededor (GAA), que recibió el nombre comercial Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Combine canales de compuerta más anchos para permitir el paso de la electricidad al reducir los niveles de voltaje que FinFET.
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Samsung afirma que el nodo de proceso de 3nm ofrece una diseño flexible lo que le permite ajustar el ancho del canal según las necesidades de los clientes. Además, el desarrollo de la segunda generación de chips en el mismo proceso técnico con mejora de consumo energético (50%), rendimiento (30%) y superficie (35%) mejorada.
Samsung aún no ha confirmado quiénes serán los clientes para el primer lote de procesadores de 3 nm. Según los rumores, una vez establecida la producción en masa, Qualcomm podría pedir un lote grande para hacer plataformas móviles Snapdragon de próxima generación. Recordamos al respecto que Samsung anunció el mes pasado que planea gastar $355 mil millones durante los próximos cinco años para desarrollar su negocio de semiconductores.
